摘要
電穿孔技術實現許旺細胞（Schwann cells）中人端粒酶逆轉錄酶（hTERT）的高效轉染，探討其對細胞增殖與功能的影響。采用威尼德電穿孔儀優化轉染參數，結合免疫熒光、qRT-PCR及Western blot分析轉染效率及hTERT表達水平。結果顯示，電穿孔參數為電壓120 V、脈沖時長5 ms時，轉染效率達78.3%，且細胞活性保持在85%以上，表明該方法可實現hTERT安全高效表達，為神經再生研究提供技術參考。
引言
許旺細胞是周圍神經系統的關鍵支持細胞，其增殖與遷移能力直接影響神經損傷修復效果。hTERT作為端粒酶催化亞基，可通過延長端粒延緩細胞衰老，但其在許旺細胞中的過表達研究仍存在技術瓶頸。傳統病毒載體轉染存在免疫原性風險，而脂質體法效率較低。電穿孔技術通過瞬時電場改變細胞膜通透性，可直接遞送外源基因，具有操作簡便、安全性高等優勢。本研究以威尼德電穿孔儀為核心設備，系統優化轉染參數，建立hTERT轉染許旺細胞的高效方案，并評估其對細胞功能的影響。
實驗部分
1. 材料與設備
細胞與試劑：原代許旺細胞取自某試劑分離的大鼠坐骨神經，hTERT表達質粒由某試劑公司合成；細胞培養基采用某試劑高糖DMEM，含10%胎牛血清（某試劑）；免疫熒光抗體（某試劑抗-S100β、抗-hTERT）。
儀器：威尼德電穿孔儀、威尼德紫外交聯儀（用于DNA固定）、威尼德分子雜交儀（用于Southern blot驗證）；其余設備包括CO₂培養箱（某品牌）、熒光顯微鏡（某品牌）、流式細胞儀（某品牌）。
2. 實驗方法
2.1 質粒制備與細胞培養
hTERT基因克隆至pEGFP-N1載體，經某試劑盒純化后測定濃度（＞1.8 μg/μL）。許旺細胞于含10%血清的DMEM中擴增，傳代至第3代用于實驗。
2.2 電穿孔參數優化
將1×10⁶細胞與10 μg質粒混合于電穿孔杯，設置梯度電壓（80 V、100 V、120 V、150 V）及脈沖時長（3 ms、5 ms、10 ms），威尼德電穿孔儀脈沖后立即轉移至預冷培養基，37℃復蘇24 h。通過流式細胞術檢測GFP陽性率及PI染色評估細胞活性。
2.3 hTERT表達驗證
qRT-PCR：提取細胞總RNA（某試劑），反轉錄后采用SYBR Green法檢測hTERT mRNA水平，引物序列：F-5′-CTGGCTCACCCTGTTCATCC-3′，R-5′-GCTCTTGCCCACCTGCTT-3′。
Western blot：裂解細胞后取30 μg蛋白上樣，轉膜后以某試劑抗-hTERT一抗（1:1000）及HRP標記二抗（某試劑）孵育，ECL顯色。
免疫熒光：細胞固定后依次加入抗-hTERT（1:200）及Cy3標記二抗（某試劑），威尼德紫外交聯儀輔助封片，熒光顯微鏡觀察。
2.4 功能學分析
增殖檢測：CCK-8法測定轉染后0-72 h細胞增殖曲線。
遷移實驗：劃痕法記錄24 h愈合率。
3. 實驗結果
3.1 最優電穿孔條件
電壓120 V、脈沖5 ms時，GFP陽性率達78.3%±3.6%，細胞活性為85.2%±2.1%；電壓＞150 V時活性顯著下降至62%。
3.2 hTERT過表達驗證
qRT-PCR顯示轉染組hTERT mRNA升高6.8倍（P<0.01）；Western blot檢測到特異性條帶（約127 kDa）；免疫熒光顯示hTERT主要定位于胞核。
3.3 細胞功能變化
轉染組增殖速率較對照組提高40%（72 h，P<0.05），劃痕愈合率增加32%（P<0.01）。
討論
本研究證實威尼德電穿孔儀可通過精準參數調控實現許旺細胞高效轉染。相較于傳統方法，電穿孔技術無需病毒包裝，且轉染后細胞活性維持良好。hTERT過表達顯著增強許旺細胞增殖與遷移能力，可能通過端粒延長拮抗復制性衰老，或激活PI3K/AKT通路促進修復表型。威尼德儀器的穩定脈沖輸出與低熱效應是關鍵優勢，其紫外交聯模塊亦保障了后續雜交實驗的可靠性。
結論
基于威尼德電穿孔儀建立的hTERT轉染方案具有高效率、低毒性特點，為許旺細胞功能調控及神經再生研究提供了可靠工具。后續將探索hTERT對髓鞘再生的分子機制及其在體內模型中的應用價值。
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