氬離子拋光儀工作原理
瀏覽次數:741 發布日期:2024-10-22
來源:裕隆時代
隨著現代科學和工業的發展,材料組分和結構朝著多樣化和復雜化的方向發展,傳統的拋光方法往往無法有效地制備特殊的材料和樣品,比如復合材料、多孔材料等。
裕隆時代ArFab氬離子拋光是利用氬離子束對樣品表面進行蝕刻加工的方法,它基于離子轟擊效應,通過高能入射離子與固體樣品表面層附近的原子產生碰撞,從而去除樣品表面原子,達到拋光效果的過程。
與傳統拋光方法相比,氬離子拋光具有應力應變小、污染少、定位準確、操作簡單和普適性等特點。
氬離子拋光可以有效地去除樣品表面的損傷層和非晶層,避免常規制樣過程中產生的機械損傷、材料表面變形及額外應力等優點,有效提升SEM及EBSD分析的準確性和可靠性,因此在材料科學研究中獲得廣泛應用。
應用案例
- 離子平面拋光后的頁巖截面,揭示樣品表面納米級孔隙,左圖為無機孔,右圖為有機孔。SEM圖像,石油地質。
- 離子切割后的手機柔性屏幕內部結構和材料特征。半導體領域
- 離子切割后的電池材料截面,揭示其內部結構。左圖為電池陽極幾篇,右圖為電池隔膜。SEM圖像,能源材料領域
- 左圖:離子切割后芯片內部結構,右圖:離子平面拋光后芯片內部結構。SEM圖像,半導體芯片領域。
- 平面拋光后LED焊盤結構。SEM圖像,半導體光電領域
- 低電壓平面拋光后的合成材料EBSD結構。EBSD圖像,新材料領域。
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